Пост канала
- фото
🇺🇸 Американская компания Lam Research предложила самосовмещённую архитектуру CFET для дальнейшего масштабирования КМОП-транзисторов 📚 CFET (complementary field-effect transistor) предполагает вертикальное размещение n- и p-канальных транзисторов друг над другом вместо их расположения рядом на поверхности кристалла. Такой подход позволяет повышать плотность размещения транзисторов без дальнейшего пропорционального уменьшения их размеров. Lam Research предложила вариант SA-CFET, в котором несколько элементов формируются по принципу самосовмещения: • заглубленная шина питания SA-BPR; • самосовмещённые контакты SA-CT; • самосовмещённые сквозные кремниевые переходы SA-TSV. Самосовмещение снижает чувствительность процесса к ошибкам совмещения слоев. Для CFET это особенно важно из-за сложной трехмерной структуры и высокой плотности контактов, где смещение элементов может приводить к обрывам или коротким замыканиям. 🤖 Архитектуру проверили с помощью SEMulator3D, платформы Lam Research для трехмерного моделирования технологических процессов. При моделировании использовались шаг затвора 42 нм и шаг металлизации 21 нм, соответствующие уровню N3. На этой основе исследователи смоделировали 6-транзисторную ячейку SRAM и стандартные логические элементы NOT, NAND и NOR. 🧮 Расчетная площадь 6-транзисторной ячейки SRAM-ячейки составила 0,0094 мкм². По данным Lam Research, это на 52,7% меньше по сравнению с ячейкой уровня N3 и на 19% меньше, чем у современных CFET-архитектур уровня A7. Отдельно оценивалась устойчивость конструкции к ошибкам совмещения. Для критических контактных слоев было получено допустимое окно совмещения не менее 10 нм без образования обрывов и коротких замыканий. 📈 Lam Research рассматривает SA-CFET как один из вариантов дальнейшего масштабирования после транзисторов GAA на нанолистах. По мере уменьшения размеров таких структур все сильнее проявляются рост паразитных сопротивлений, технологические вариации и усложнение контактов. Вертикальное размещение n- и p-канальных транзисторов позволяет увеличивать плотность уже за счет изменения самой архитектуры. Разработка пока подтверждена только средствами технологического моделирования. Физические образцы SA-CFET по описанной схеме не изготовлены. #ЭлМаш #технологии
Открыть в MAX- Просмотры
- 112
- ER
- 1,8%
- Реакции
- 2