Пост канала
- фото
🇧🇪 Бельгийский исследовательский центр imec разработал Ge/Si-лавинный фотодиод с полосой пропускания 100 ГГц для приема данных со скоростью 400 Гбит/с Фотодиод изготовлен на 300-мм платформе кремниевой фотоники imec. При рабочем напряжении 5 В устройство обеспечивает токовую чувствительность 1,8 А/Вт и работает как в O-, так и в C-диапазоне. По данным imec, такое сочетание полосы пропускания, низкого напряжения и внутреннего усиления для Ge/Si-лавинного фотодиода достигнуто впервые. ⚡️ Лавинные фотодиоды повышают чувствительность приемника за счет внутреннего усиления сигнала, однако обычно это сопровождается снижением быстродействия или ростом рабочего напряжения. Чтобы обеспечить внутреннее усиление примерно в два раза при сохранении высокой полосы пропускания и рабочего напряжения 5 В, imec переработал стандартную SACM-архитектуру: • толщину области лавинного умножения уменьшили до менее 100 нм; • использовали глубоко заглубленную область германия в кремнии; • исключили отдельный зарядовый слой. 🔗 Для проверки устройства imec объединил фотодиод с ранее разработанным Ge/Si-электроабсорбционным модулятором с полосой свыше 110 ГГц. На их основе исследователи продемонстрировали первую оптическую линию с APD-приемником и скоростью передачи полезных данных 400 Гбит/с. 📈 Применение APD повысило чувствительность приемника на 3 дБ по сравнению с обычным фотодиодом. Дополнительный запас по мощности сигнала можно использовать для снижения мощности лазера либо для компенсации более высоких оптических потерь в линии. Разработка ориентирована на высокоскоростные оптические межсоединения для ИИ-ЦОД. Следующий этап работ включает повышение надежности фотодиода при различных температурах и уровнях входной оптической мощности, а также интеграцию с высокоскоростной электроникой приемника. #ЭлМаш #технологии #imec
Открыть в MAX- Просмотры
- 112
- ER
- 2,7%
- Реакции
- 3