Пост канала
- фото
🇹🇼🇳🇱 Тайваньская TSMC и нидерландская ASML запустили отраслевую инициативу по переходу от стандартных 150-мм фотошаблонов к 300-мм для литографии High-NA EUV 📆 Пилотную линию для изготовления 300-мм фотошаблонов планируется создать к 2031 году, а готовность соответствующих литографических систем к производству передовых микросхем намечена на 2033 год. Для TSMC это первое публичное подтверждение сроков внедрения High-NA EUV в серийное производство. Компания намерена начать использовать технологию в массовом производстве с 2030 года. Для сравнения, Samsung планирует применять High-NA EUV при производстве DRAM с 2028 года, а Intel уже осваивает системы нового поколения. 🔬 Переход к увеличенным фотошаблонам связан с особенностями оптической системы High-NA EUV. Рост числовой апертуры с 0,33 до 0,55 повышает разрешение, однако используемая в системах EXE анаморфная оптика уменьшает размер экспонируемого поля на пластине. Поэтому крупные кристаллы при использовании стандартного 150-мм фотошаблона приходится экспонировать частями со сшивкой отдельных полей. 300-мм фотошаблон позволит увеличить область экспонирования и: 🔹 экспонировать крупные кристаллы без сшивки полей; 🔹 повысить производительность High-NA EUV-сканеров и снизить стоимость литографической обработки. 📈 По оценке ASML, переход на крупноформатные фотошаблоны может повысить производительность High-NA EUV-систем примерно на 40% и расширить экономически целесообразное применение технологии на большее число слоев. Переход будет постепенным: первые поколения High-NA EUV продолжат работать со стандартными 150-мм фотошаблонами. 🔗 Новый формат потребует перестройки всей инфраструктуры производства и использования фотошаблонов: установок записи, оборудования инспекции и метрологии, систем очистки и транспортировки, а также пелликлов. Поэтому ASML и TSMC рассматривают переход как отраслевую инициативу с участием производителей микросхем, фотошаблонов и оборудования. #ЭлМаш #технологии
Открыть в MAX- Просмотры
- 149
- ER
- 0,7%
- Реакции
- 1