Пост канала
- фото
Micron анонсировала память 3D NAND 11 поколения Если память G9 имеет 276 слоев, то G11 — более 400, то есть как минимум на 45 % больше. В сочетании с новым техпроцессом и архитектурными улучшениями это обеспечит увеличение плотности записи примерно в 2 раза. Компания заявляет о снижении энергопотребления примерно на 25%. Micron заявляет о скорости интерфейса до 50 % выше, чем у G9. При показателе G9 в 3,6 Гбит/с это означает примерно 5,4 Гбит/с. Серийное производство памяти G11 запланировано на вторую половину 2027 года. Мой Компьютер
Открыть в MAX- Просмотры
- 3 040
- ER
- 1,6%
- Реакции
- 49