Пост канала
- фото
Голландская ASML соберет кучу High-NA EUV литографов Intel, TSMC и Samsung решили, что будущее за High-NA EUV. Intel уже внедряет соответствующие сканеры ASML, Samsung собирается использовать их для массового производства DRAM с 2028 года, а TSMC — передовых логических чипов с 2030-го. Следующим шагом станут фотомаски 12×6 дюймов вместо нынешних 6×6: они позволят High-NA EUV эффективнее печатать будущие огромные чипы и на ~40 % увеличить производительность сканеров. Мой Компьютер
Открыть в MAX- Просмотры
- 3 204
- ER
- 1,6%
- Реакции
- 52